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EP2S130F1020C4N【太航半导体】舟山芯片

而半导体激光器封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于半导体激光器。发光部分半导体激光器的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高半导体激光器的内、外部量子效率。常规Φ5mm型半导体激光器封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上。

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计算机存储发展迅速。在传统的IT应用中，服务器和存储器直接互联，进展为联网存储体系结构，即存储区域网（SAN）。SAN很容易实现存储扩展，以前受内部存储能力限制的服务器可以在现有条件以外扩容。除了容易扩展存储之外，服务器也发展到能够迅速地实现数据处理。Altera FPGA是实现存储拓扑移植，帮助服务器更迅速处理数据的理想选择。

EP2S60F672I5N

EP4SGX230FF35C4N

EP2AGX125EF35I5N

而半导体激光器封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于半导体激光器。发光部分半导体激光器的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高半导体激光器的内、外部量子效率。常规Φ5mm型半导体激光器封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上。

创新的存储和服务器技术需要灵活的平台来迅速实现各种解决方案，而大批量应用市场更需要低成本方案。在计算机和存储设备中使用Altera的低成本可编程逻辑和结构化ASIC可以保证无风险地快速提高产量。在这些存储网络的推动下，流量和数据处理的迅猛增长导致迫切需要高性能芯片和接口技术。Altera的65nm Stratix III FPGA在体系结构上突出了丰富的存储器和串行接口，非常适合高端存储应用。

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EP3C40F324I7N

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为抢占二维新兴领域的国际制高点，开展了大量的前瞻性基础和应用研究工作。作为半导体领域的知名核心期刊，《半导体学报》也一直报道该领域的发展情况，并及时邀请中科院半导体所李京波研究员和南京大学王欣然教授作为客座编辑，出版了题为“2DMaterialsandDevices”的专题特刊。李京波小组是国际上早开展二维半导体材料与器件的研究小组之一，获得了国际学术界的广泛关注，其组内核心成员霍能杰博士和杨玉珏博士于2017年3月在《半导体学报》上发表了标题为“Optoelectronicsbasedon2DTMDsandheterostructures”的原创性[5]。该系统报道了基于自主研发的二维半导体及其异质结的材料制备方法、随厚度依赖的光学性能（PL和拉曼）和高性能光电子器件（包括晶体管、光电探测器和光伏电池等）的研究工作。

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